Samsung начала поставки 12-слойной HBM4E-памяти с пропускной способностью 3,6 ТБ/с

Компания Samsung объявила о начале поставок первых образцов 12-слойной памяти HBM4E нового поколения. Это событие произошло вслед за запуском массового производства стандартной HBM4 в начале 2026 года. Корейский производитель явно наращивает темпы обновления оборудования для искусственного интеллекта.

Новая память HBM4E разработана специально для ускорения работы больших языковых моделей и сложных вычислительных систем. Ключевой показатель — пропускная способность, которая достигает 3,6 терабайта в секунду на один стек. Скорость передачи данных в новых чипах составляет 14 гигабит в секунду, но Samsung заявляет о возможности масштабирования до 16 гигабит в секунду. Текущая 12-слойная версия предлагает объем 48 гигабайт, что на 30 процентов больше предыдущих решений. В будущем линейку планируют расширить, добавив варианты на 32 и 64 гигабайта.

Одной из ключевых проблем HBM-памяти является перегрев, поскольку 12 слоев, упакованных друг на друга, выделяют много тепла. Однако в Samsung утверждают, что благодаря оптимизации архитектуры и новым методам упаковки тепловыделение удалось снизить на 14 процентов. Кроме того, инженеры поработали над энергоэффективностью, улучшив ее на 16 процентов по сравнению с предыдущим поколением. В масштабах крупных дата-центров, где счета за электричество достигают огромных сумм, это является критически важным преимуществом.

Сейчас Samsung рассылает образцы ключевым клиентам, среди которых, вероятно, NVIDIA и AMD, для тестирования. Массовое производство HBM4E начнется в соответствии с графиками заказчиков. Южнокорейский производитель явно стремится не дать конкурентам из SK Hynix никакого шанса на передышку в гонке на рынке высокопроизводительной памяти.